用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件
与传统的 CRT显示器相比，以 FED和 PDP 为代表的平板显示器件以其体积小、重量轻 、品质 高等优点，在近十几年时间内获得了迅速发展。 FED是由于电场作用在冷阴极上引起发射电子 ， 电子在电场的作用下轰击荧光屏发光。它与传统 CRT显示器的区别仅在于，FED用冷阴极阵列取 代了CRT的电子束偏转空间，使其平板化；而 PDP则是应用辉光放电的原理。这两种显示器都 需要较高的驱动电压，相应的驱动电路必须带有 高压接 口。 传统的高压接口电路一般是由分立的双极或 MOS功率器件所组成，由于分立元件的存在，整 个驱动电路系统也会变得复杂。随着 CMOS工艺 技术 的发展，可 以将 高压 CMOS器件 和低压 CMOS电路集成于同一个芯片上，这样能够降低 电路成本并提高其可靠性。 在中国科学 院微 电子研究所 0．8 Ixm标准 CMOS工艺的基础上 ，通过添加 有限次的掩 膜板 和工艺步骤的方法，利用 Synopsys的 TCAD工具 模拟实现了和该标准工艺兼容的高压 NMOS和 高压 PMOS器件。高压NMOS的源漏击穿电压为 220 V，高压 PMOS的源漏击穿电压为 一135 V，栅 源耐压绝对值大于 100 V。该工艺可以较好地满 足 FED和PDP显示驱动电路对于高压 CM0S器 件 的要求 。
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