主板DDR内存时序设置 FSB与内存频率的关系

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DDR内存既然叫做双倍速率SDRAM（Dual date rate SDRSM），就是说是SDRAM的升级换代产品。从技术上分析，DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。那么大家就应该知道了，我们所说的DDR400，DDR333，DDR266，他们的工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400工作频率为200MHz。

FSB与内存频率的关系

首先请大家看看表一：FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。

) x* y5 F. M' R5 gFSB/MEM比率 实际运行频率
' y  g' \4 [- B" c: K1/01 200MHz
1 q9 ~7 `% ^( W2 {: T5 O/ F! [3 F1/02 100MHz
2/03 133MHz
3/04 150MHz
* [5 Q; x1 {& w0 j3/05 120MHz
5/06 166MHz
' k+ F8 |2 o/ |7 _9 ?; n7/10 140MHz
9/10 180MHz
; B' ]4 {: B# `2 W( a9 n2 U7 C
; G: S+ D: q0 L% C( z! I# I对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1(DFI 用1/01表示)是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。

& t) f1 ^8 ~# M  u7 J  m; S强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。
; R- U$ N& \" {0 v
Command Per Clock(CPC)
. V' R! @$ k) P
# [& T* ^, v, B7 y' J可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
4 l# Y2 F! Y! m. v! X
) a0 h! V' ~2 F5 eCommand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

1 e( [% P. O: v; I5 _该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。

: @$ `1 B( u( T2 o2 i0 ?3 DCAS Latency Control(tCL)

7 u& B9 e/ E' f; k1 P
' t; h* d9 i" G0 M5 A- J可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
6 c  ^8 X, Q' l& N
4 J6 @% a' X8 r; J5 g一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
9 h% h/ a6 M. u2 o) l  b# q. i8 D
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

4 _( k- Z  Y! I  X3 b+ Q# hRAS# to CAS# Delay(tRCD)
6 i' s- k, D) K" _
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
) v* d) v) ~. x- r7 P8 ^* N* Y( H
6 U& S3 J- o6 ]+ ]该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
1 m7 s7 s+ C7 _8 L) e5 x! v& l
  v4 @' Y. e5 k/ @) A+ x如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
& b! d" n& D" V) D! r
! C6 }$ z2 c( Q/ o' b, z+ QMin RAS# Active Timing(tRAS)
; W/ M8 }5 p+ ^, U/ ?/ J. M: t
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

  P+ S1 p+ Q* n! d0 X# U该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

# w7 T5 L) w# M  j3 c: F如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。

6 B+ D" c! S3 v6 W2 Q% z* k如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。

" o$ x6 u. d6 B- q( T' \Row Precharge Timing(tRP)

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
4 m* n2 C# e1 j9 |$ P, \1 ^

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tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
" T. T% |/ ]3 h8 r
如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
% |8 `2 E! R5 H! e! Q& z
Row Cycle Time(tRC)


可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。

, L0 P" H/ O* H" V" M% K: aRow Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。

! z, i# U  [5 u2 p9 y+ s6 o其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。

% C4 H: F: B7 B) i. q4 z: o8 G在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。
% l+ n6 i& ~) \2 D
9 U/ H; i6 x0 G$ b8 c# r4 yRow Refresh Cycle Time(tRFC)
) c  B" `! w& ^7 c6 X8 h
可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。

" i9 v7 q6 V4 @7 c* wRow Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

9 K  B# t$ k* f/ H如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

% }/ W* y& U: y) JRow to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
# L$ }; y, i& h+ J* |1 c$ c4 i
; U: l# \- q0 o! K3 L可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。

) E9 }# s. {) ?Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
& g) D9 J$ J* @, f* M1 k) |4 G+ j# Y
) u, _: h3 r* j9 X( {! u如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。