场效应管的原理与类型

红叶独舞深秋 · 发表于 2009-3-3 15:10:54

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场效应晶体管简称场效应管，用英文缩写为FET表示，它具有输入阻抗高，静态功率低，噪声低，工作点的动态范围大等优点；其缺点是耐压能力差，易造成静电击穿；场效应管分为结型场效应管（用JFET表示）和绝缘栅型场效应管（用IGFET表示）根据导电沟道材料的不同，可把场效应管分为P型场效应管和N型场效应管；根据栅源电压为零（Uds=0)时的漏极电流（Id)的大小，可把场效应管分为耗尽型（Id最大），增强型（Id最小，近似为零），耗尽型加增强型（Id较大）；结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管有增强型，耗尽型加增强型

一鹏电子 · 发表于 2009-3-3 15:10:55

不太详细。。再细些就好了。。谢谢

guang1362 · 发表于 2014-1-17 07:04:14

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