N沟道MOSFET概述

鬼囝

N沟道MOSFET概述
N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当VGS>VGS(th)，
在D和S之间加正电压，就会产生漏极电流ID，ID将随VGS的增加而增大。
用MOSFET作为开关应用时，可以用图1中的模型来分析，当G、S极电压为零时，D、S不导通，相当于开路。当栅极电压为10V，源极电压为0V时，就有电流ID流过漏、源极，漏极和
源极之间处于导通状态。MOSFET内部漏极、源极之间有一个寄生的反向二极管。该二极管在电路图中常常未被标出，当MOSFET处于关断状态，如漏源极有负向电压时，
二极管可能会导通，在设计时要注意这一点。
RTR025P02TL
RTQ030P02TR
RTL030P02TR
RTQ035P02TR
RTL035N03TR
RSR025N03TL
RSM002P03T2L
RSS090P03TB
RSX101VA-30TR
2SK3018T106
2SK3019TL
2SK3541T2L
2SK3065T100
RK7002T116
RR255M-400TR
RHP020N06T100
RHU002N06T106


RTL035N03TR
制造商: ROHM Semiconductor
       
产品种类: MOSFET Small Signal
       
RoHS: 详细信息
       
配置: Single Quad Drain
       
晶体管极性: N-Channel
       
封装 / 箱体: TUMT6
       
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.56 Ohms
       
汲极/源极击穿电压: 30 V
       
闸/源击穿电压: 12 V
       
漏极连续电流: 3.5 A
       
功率耗散: 1 W
       
封装: Reel