内存详解

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Samsung

$ B5 o$ n4 Z- b; M' U$ L具体含义解释：
- u* y- ^: w3 F6 u* O2 D例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
! P* }- t8 U; z2 \( A4 @) F! m7 T3 C$ d主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
4 n3 J6 m" T( q/ |, l( k! R: G第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
$ E0 ~$ T% g( X& T* O5 J, n第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
, K, o" G' F; v0 h第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) 80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星samsung DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） ?16片/8bits=256MB（兆字节）。
5 z# z& ]# m6 L
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

! L3 W7 |* V. @8 Z! l$ e) ZHynix(Hyundai)现代
, i* }2 S  s, y6 Y. Q, m2 W5 m
; b  A! D8 r3 R5 r6 j$ T4 Y! f现代内存的含义：
  J. U  q8 a9 j# n( tHY5DV641622AT-36
% _( `- z- @% J4 k1 q2 i; BHY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品

4 l+ e, e  B: b, Y2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
" f9 |. [3 V' ^' k* }. u" b
7 v' |/ F+ `$ [; \' m6 {* g3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
$ l2 [+ q  U: i2 A$ x
! r: ]$ x. A" v: Q  z: G4 r6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7、I/O界面：1 SSTL_3、2 SSTL_2
3 B" ~4 p8 E. h9 _; ~& L& Q
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
5 U5 L, x- m4 F& @
11、工作速度：55 183MHZ、5 200MHZ、45 222MHZ、43 233MHZ、4 250MHZ、33 300NHZ、L DR200、H DR266B、K DR266A
+ @& c4 ~" f7 _# W
2 _8 P& S% b: i; u4 ^9 {) Q/ D7 L; ?
Infineon（亿恒）
+ M. F0 V: z4 Z
6 c, n% F& a+ h( FInfineon是德国西门子siemens 的一个分公司，目前国内市场上西门子siemens 的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
3 j( H0 u7 f4 R6 a. S7 e
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
9 }) H# g* P" e% ^9 R  ]" o7 \& D
$ s: k$ O1 g" M8 T-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）?6片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） ?8 片/8=128MB（兆字节）。
, x7 ^. m: K8 x! |' v
6 Q6 f7 J4 b7 p
6 f- b) N  d: B( M7 ^- C+ `/ ~! @0 PKINGMAX、kti

3 [$ }9 g7 L6 ZKINGMAX内存的说明
0 @; }2 @. G0 a8 _0 `8 F' _
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
9 B, T/ m# K6 A; f1 Q8 B& C( H
容量备注：
8 K) w# i1 ^, [( [; {* Z! uKSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 ?4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 ?8位数据宽度；
# J6 ?( S8 A: p! iKSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 ?4位数据宽度；
1 C  \2 g+ p( ]- IKSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 ?8位数据宽度；
1 e- g) J. H- e( |KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 ?16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
+ r2 g, A- ?+ D1 J8 g' }-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
' B" ?9 h" K( S/ W3 N6 V9 u; g% {-8A——PC100/ CL=2；
" F4 l4 [& ?( }$ s0 ]) V9 V8 y8 n-8——PC100 /CL=3。
) w1 Q# L- x7 z- ]4 t4 \0 t: H
( m% A4 }& U% F* }例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）?6片/8=128MB（兆字节）。
7 s' ?% W0 j) N. W/ [" ~. r* Y
% q, K% ?! s6 P: u/ [
Micron（美光）

2 T' m$ M5 T. B6 d1 `" R- n以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
5 ^' e6 M- U- h8 k& }" \8 z含义：
4 ^* G: u4 p  U( |1 f- D- G$ jMT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
/ K& e' F( |& R% D5 n  C1 w6 [LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
0 P* q( g2 W; _6 N8 v% R' F16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）?位数据宽度。
; Y1 t$ |: E3 @A2——内存内核版本号。
2 t* r+ U6 t9 A) b; C' zTG——封装方式，TG即TSOP封装。
6 Y2 G! V3 Y9 o9 D' y+ ?& y-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
/ ~) d+ q# O% i; x' x" a
其容量计算为：容量32M ?bit ?6 片/ 8=256MB（兆字节）。
0 C+ r5 R6 D/ O* ~8 j
2 n9 ?6 A9 L  `, J
Winbond（华邦）
# j2 f& S$ `2 m+ v% {
含义说明：
6 P: \- B' a1 f) ?2 W8 Q! \, MW XX XX XX XX
1 2 3 4 5
9 @$ J9 o: m: G6 s
+ L4 E. O2 A: }* C% D+ o6 z1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

9 ?# \: `! g$ K4 s- [2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM?
5 p' E" Z; b% W5 }9 k
: N- ]; o1 N6 l" G$ f3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

) Q" _! \# L* t" B2 h- S, o0 a" v4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

bwm1951

我顶．．．．．．．．．．．．．．．

釾ω斬ご斬

好资料，收藏了

雪侬

顶啊!呵呵!!!!!!

小卡

我收藏了....
$ U* E) f/ \5 J/ \
5 @! D# r9 p  @# i+ y( G! s' ?

  z5 y* n: G8 y4 m  n5 L

heima007

呵呵 高高实在是高~~~~~